성균관대학교 성균나노과학기술원 신성식 교수팀이 2023년 노벨화학상 수상자인 문지 바웬디(Moungi Bawendi) 교수가 이끄는 MIT 연구팀과의 글로벌 협력 연구를 통해 페로브스카이트 태양전지 고효율에 대한 원리를 규명했다고 밝혔습니다.
성균관대 신성식 교수팀은 2016년부터 MIT 문지 바웬디 교수팀과 고효율 페로브스카이트 태양전지 관련 핵심기술을 개발해왔는데요. 연구 결과를 네이처 등 다수의 학술지에 발표했고, 핵심 특허를 확보했습니다.
특히, 페로브스카이트 박막 표면제어 기술과 산화물 전자수송소재 기술을 개발해 세계 최초로 25% 이상의 광·전 변환 효율 시대를 열었는데요. 미국 국립재생에너지 연구소(NREL)로부터 효율과 안정성도 인정받았습니다. 공동 발표 논문들이 1년에 평균 500회 이상 인용될 만큼 지금도 널리 사용되고 있는 기술이지만 고효율에 대한 정확한 원리 규명에는 난항을 겪고 있었는데요. 그러나 최근 MIT의 블라디미르 불로비치(Vladimir Bulovic) 교수팀이 협력하면서 고효율 페로브스카이트 태양전지 원리를 규명하는 데 성공했습니다.
연구진은 2019년 공동으로 발표한 페로브스카이트 표면제어 기술이, 단순히 결함을 제거할 뿐만 아니라, 할라이드 교환 반응을 발생시키고, 페로브스카이트 소재 표면에서 내부까지 브롬의 농도구배와 표면 전기장 변화를 유발한다는 것을 최초로 발견했습니다. 특히 이러한 표면제어 기술에서 생기는 표면 전기장이 재결합을 크게 억제하고, 전하추출효율을 증가시켜 태양전지의 효율을 크게 향상시킨다는 사실을 밝혔는데요.
이러한 특성을 바탕으로 페로브스카이트 박막 자체의 표면 재결합 속도(SRV)를 7cm/s까지 낮출 수 있었고, 30μs 이상의 기록적인 전하 캐리어 수명을 확보해 향후 페로브스카이트 기반 광전소자의 효율을 향상시킬 수 있는 교두보가 될 것으로 기대하고 있습니다.
신성식 교수는 “연구를 통해 규명한 페로브스카이트 표면에서 전기장이 형성되는 메커니즘은 기존 GaAs나 CIGS 태양전지와는 크게 다르며, 향후 페로브스카이트 박막 표면의 전기장과 밴드갭을 최적화하여 페로브스카이트 태양전지뿐만 아니라 페로브스카이트 LED의 효율도 크게 향상시킬 수 있을 것”이라고 말했습니다. 문지 바웬디 교수도 “한국의 탑-티어(Top-tier) 연구기관과의 지속적인 교류를 통해서 기존 기술을 더욱 발전시키겠다”라고 말했습니다.
연구 결과는 에너지 분야 국제학술지인 '네이처 에너지(Nature Energy)' 지에 게재됐습니다.
논문명: Reduced recombination via tunable surface fields in perovskite thin films
